深圳市三佛科技有限公司供應MSM06065G1美浦森DFN5*6封裝650V6A碳化硅二極管，原裝，庫存現(xiàn)貨熱銷
MSM06065G1 品牌：美浦森 封裝：DFN5*6 電壓：650V 電流：6A 碳化硅二極管
MSL06065G1，碳化硅二極管，耐壓650V，150℃連續(xù)正向電流6A，工作溫度范圍-55到175℃，正向壓降1.4V，并具有正溫度系數(shù)特性，可直接并聯(lián)使用?？蓱糜陂_關電源，功率因數(shù)校正，馬達驅動和氙氣燈照明應用。
MSM06065G1美浦森DFN5*6封裝650V6A碳化硅二極管產品特性：
650V肖特基整流器
更短的恢復時間
可實現(xiàn)高速切換
極高頻率
開關行為與溫度無關
切換速度極快
VF為正溫度系數(shù)
MSM06065G1美浦森DFN5*6封裝650V6A碳化硅二極管產品優(yōu)勢：
更高的過電壓安全裕量
提高所有負載條件下的效率
與硅二極管相比提高了效率，降低了散熱器要求
無熱失控，可并聯(lián)
基本上沒有開關損耗。
應用領域
開關電源
PFC電路
電機驅動器
PD快充
充電樁
光伏逆變器。
售后服務：公司免費提供樣品，并提供產品運用的技術支持。
阿里店鋪：阿里 “供應商 ”搜索 ，深圳市三佛科技有限公司，咨詢客服購買
其他產品推薦：NCP1342 ,MSM06065G1，VIPER12，AP8012 ，AP8012H,AP8022, PN8007,TOP256EN,TOP266EN,TOP267EG,TOP271EG
MSM06065G1美浦森DFN5*6封裝650V6A碳化硅二極管 產品供應
碳化硅材料優(yōu)點：
碳化硅材料有很多優(yōu)點，如禁帶寬度很大、臨界擊穿場強很高、熱導率很大、飽和電子漂移速度很高和介電常數(shù)很低如表 1-1。首先大的禁帶寬度，如 4H-SiC其禁帶寬度為 3.26 eV，是硅材料禁帶寬度的三倍多，這使得器件能耐高溫并且能發(fā)射藍光；高的臨界擊穿場強，碳化硅的臨界擊穿場強 (2-4 MV/cm)很高，4H-SiC的臨界擊穿場強為 2.2 MV/cm，這要高出 Si 和 GaAs 一個數(shù)量級，所以碳化硅器件能夠承受高的電壓和大的功率；大的熱導率，熱導率是 Si 的 3.3 倍和 GaAs 的10 倍，熱導率大，器件的導熱性能就好，集成電路的集成度就可以提高，但散熱系統(tǒng)卻減少了，進而整機的體積也大大減小了；高的飽和電子漂移速度和低的介電常數(shù)能夠允許器件工作在高頻、高速下。但是值得注意的是碳化硅具有閃鋅礦和纖鋅礦結構，結構中每個原子都被四個異種原子包圍，雖然 Si-C 原子結合為共價鍵，但硅原子 1.8 的負電性小于負電性為 2.6 的 C 原子，根據(jù) Pauling 公式，離子鍵合作用貢獻約占 12%，從而對載流子遷移率有一定的影響，據(jù)目前已發(fā)表的數(shù)據(jù)，各種碳化硅同素異形體中，輕摻雜的 3C-SiC 的載流子遷移率最高，與之相關的研究工作也較多，在較高純的 3C-SiC 中，其電子遷移率可能會超過 1000 cm/（V.s），最高的跟硅也有一定的差距。
與 Si 和 GaAs 相比，除個別參數(shù)外（遷移率），SiC 材料的電熱學品質全面優(yōu)于 Si 和 GaAs 等材料，僅次于金剛石。因此碳化硅器件在高頻、大功率、耐高溫、抗輻射等方面具有巨大的應用潛力，它可以在電力電子技術領域打破硅的極限，成為下一代電力電子器件。
