900 V、65 mΩ、36 A、TO-247-3 封裝、第 3 代分立 SiC MOSFET
Wolfspeed 擴(kuò)大了其在碳化硅 (SiC) 技術(shù)低電感分立封裝領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，具有寬爬電距離和漏極與源極之間的間隙距離 (~8mm)。充分利用最新 MOSFET 芯片的高頻能力，同時(shí)提供適合高污染環(huán)境的額外電氣隔離。獨(dú)立的開爾文源極引腳可降低電感，從而將開關(guān)損耗降低多達(dá) 30%。設(shè)計(jì)人員可以通過從基于硅的三電平拓?fù)滢D(zhuǎn)向更簡(jiǎn)單的兩電平拓?fù)洌ㄍㄟ^改進(jìn)的開關(guān)性能實(shí)現(xiàn)）來減少元件數(shù)量。
特征
- 整個(gè)工作溫度范圍內(nèi) Vbr 最低為 900V
- 帶驅(qū)動(dòng)源的低阻抗封裝
- 高阻斷電壓和低 R DS(on)
- 具有低反向恢復(fù) (Qrr) 的快速本征二極管
- 易于并聯(lián)且驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單
好處
- 通過降低開關(guān)和傳導(dǎo)損耗提高系統(tǒng)效率
- 實(shí)現(xiàn)高開關(guān)頻率操作
- 提高系統(tǒng)級(jí)功率密度
- 減小系統(tǒng)尺寸；重量; 和冷卻要求
- 支持新的硬開關(guān)拓?fù)洌▓D騰柱 PFC）
應(yīng)用領(lǐng)域
- 電機(jī)控制
- 電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)
- 不間斷電源 (UPS)
- 電池管理系統(tǒng)
- 快速電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)
- 車載充電
- 傳動(dòng)系統(tǒng)
- 焊接
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C3M0025065D
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C3M0025065J1
C3M0045065D
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C3M0045065J1
E3M0060065D
C3M0060065D
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C3M0060065L-TR
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C3M0120065D
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C3M0030090K
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C3M0280090D
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C3M0065100K
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C3M0120100K
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C3M0016120D
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C2M0025120D
C3M0032120D
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C2M0040120D
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C3M0040120J1
C3M0075120D-A
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C2M0080120D
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C2M0280120D
C3M0350120D
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