1200 V、21 mΩ、100 A、TO-247-4 封裝、第 3 代分立 SiC MOSFET
Wolfspeed 的 1200 V 碳化硅 (SiC) MOSFET 系列經(jīng)過優(yōu)化，適用于高功率應(yīng)用，例如 UPS、電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)器、開關(guān)模式電源、太陽能和儲(chǔ)能系統(tǒng)、電動(dòng)汽車充電、高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器等。
基于第三代技術(shù)，各種導(dǎo)通電阻和封裝選項(xiàng)使設(shè)計(jì)人員能夠?yàn)槠鋺?yīng)用選擇正確的部件。
特征
- 整個(gè)溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定的 RDS(ON)
- 提供帶有獨(dú)立開爾文源極引腳的封裝選項(xiàng)
- 極快的切換
- 減少散熱器要求
好處
- 更容易驅(qū)動(dòng)（+15V 柵極驅(qū)動(dòng)）
- 提高系統(tǒng)級(jí)效率
- 堅(jiān)固的體二極管（無需外部二極管）
- 雪崩堅(jiān)固性
應(yīng)用領(lǐng)域
- 太陽能逆變器和儲(chǔ)能
- 車載和快速直流電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)
- 電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)
- 焊接和感應(yīng)加熱
- 輔助電源
- 高壓DC/DC轉(zhuǎn)換
C3M0015065D
C3M0015065K
C3M0025065D
C3M0025065K
C3M0025065J1
C3M0045065D
C3M0045065K
C3M0045065L-TR
E3M0045065K
C3M0045065J1
E3M0060065D
C3M0060065D
C3M0060065K
C3M0060065L-TR
E3M0060065K
C3M0060065J
C3M0120065D
C3M0120065K
C3M0120065L-TR
C3M0120065J
C3M0030090K
C3M0065090D
C3M0065090J
C3M0120090D
C3M0120090J
E3M0120090J
C3M0280090D
C3M0280090J
C3M0065100K
C3M0065100J
C3M0120100K
C3M0120100J
C3M0016120D
C3M0016120K
E3M0016120K
C3M0021120D
C3M0021120K
E3M0021120K
C2M0025120D
C3M0032120D
C3M0032120K
E3M0032120K
C3M0032120J1
C3M0040120D
C3M0040120K
C2M0040120D
E3M0040120K
C3M0040120J1
C3M0075120D-A
C3M0075120K-A
E3M0075120D
C3M0075120D
C3M0075120K
E3M0075120K
C3M0075120J
C2M0080120D
E3M0160120K
C3M0160120D
C2M0160120D
C3M0160120J
C2M0280120D
C3M0350120D
C3M0350120J
C2M0045170P
C2M0045170D
C2M1000170D
C2M1000170J
