120-W; DC – 8000-MHz; 28 V; GaN HEMT Die
沃爾夫斯派特的cg2h80120d是一種氦氮化鈉(GAN)高電動(dòng)晶體管(HEMT)。甘油酯的性能優(yōu)于硅或氟化鋇,包括較高的擊穿電壓、較高的飽和電子漂移速度和較高的導(dǎo)熱系數(shù)。與硅和鈣晶體管相比,甘赫姆茨管提供了更大的功率密度和更寬的帶寬。
特點(diǎn)
- 120 W Typical PSAT
- 28 V Operation
- 高擊穿電壓
- 高溫操作
- 8千兆赫以下的操作
- 高效率
應(yīng)用程序
- 雙向私人廣播電臺(tái)
- 寬帶放大器
- 細(xì)胞基礎(chǔ)設(shè)施
- 測(cè)試儀器
- A類;AB型;適合OFDM的線性放大器;W-CDMA;邊緣;CDMA波形
