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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMNH10H028SCT 100V 175°C N 溝道增強型 MOSFET 晶體管

型號： DMNH10H028SCT

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMNH10H028SCT
  • 名稱 100V 175°C N 溝道增強型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 TO220AB

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMNH10H028SCT 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMNH10H028SCT 這款新一代 MOSFET 具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)的特點，使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                DIODES
型號                DMNH10H028SCT
名稱                100V 175°C N 溝道增強型 MOSFET
產(chǎn)地                臺灣
封裝                TO220AB

 

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 60 A
PD @TA = +25°C (W) 2.8 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 28 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 4 V
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 31.9 nC
CISS Typ (pF) 1942 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 50 V

 

主要特征
額定溫度為 +175°C – 高環(huán)境溫度環(huán)境的理想選擇
100% 非鉗位感應(yīng)開關(guān) – 確保更可靠、更穩(wěn)健的最終應(yīng)用
低輸入電容
低輸入/輸出泄漏
符合 AEC-Q101 高可靠性標(biāo)準(zhǔn)

 

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