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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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DMPH4029LFG 175°C 40V P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào)： DMPH4029LFG

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMPH4029LFG
  • 名稱(chēng) 175°C 40V P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 PowerDI®3333-8

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMPH4029LFG  

 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMPH4029LFG 該 MOSFET 旨在最大限度地降低導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))，同時(shí)保持卓越的開(kāi)關(guān)性能，使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                  DIODES
型號(hào)                  DMPH4029LFG
名稱(chēng)                  175°C 40V  P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地                   臺(tái)灣
封裝                   PowerDI?3333-8


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity P
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 40 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 8 A
PD @TA = +25°C (W) 2.8 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 29 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 45 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 17 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 34 nC
CISS Typ (pF) 1626 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 20 V


主要特征
額定溫度為 +175°C – 高環(huán)境溫度環(huán)境的理想選擇
低 RDS(ON) – 確保最小化狀態(tài)損失
小外形熱效率封裝可實(shí)現(xiàn)更高密度的最終產(chǎn)品
僅占用 SO-8 所占電路板面積的 33%，從而實(shí)現(xiàn)更小的最終產(chǎn)品

 

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