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DMPH4029LFGQ 175°C 40V P 溝道增強型 MOSFET 晶體管

型號: DMPH4029LFGQ

--- 產品參數 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMPH4029LFGQ
  • 名稱 175°C 40V P 溝道增強型 MOSFET
  • 產地 臺灣
  • 封裝 PowerDI®3333-8

--- 產品詳情 ---

DMPH4029LFGQ  

 產品簡介
DIODES 的 DMPH4029LFGQ 該 MOSFET 旨在滿足汽車應用的嚴格要求。它符合 AEC-Q101 標準,受 PPAP 支持,非常適合用于:背光、電源管理功能和 DC-DC 轉換器。

 

產品規格 
品牌                  DIODES
型號                  DMPH4029LFGQ
名稱                  175°C 40V  P 溝道增強型 MOSFET
產地                   臺灣
封裝                   PowerDI?3333-8


產品參數

AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity P
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 40 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 8 A
PD @TA = +25°C (W) 2.8 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 29 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 45 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 17 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 34 nC
CISS Condition @|VDS| (V)


主要特征
額定溫度為 +175°C——高環境溫度環境的理想選擇
生產中 100% 未鉗位感應開關測試 —
確保最終應用更加可靠和穩健
低 R DS(ON) —確保導通狀態損耗最小化
小外形熱效率封裝可實現更高密度的最終產品
僅占用 SO-8 所占電路板面積的 33%,從而實現更小的最終產品

 

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