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DMT6012LFDF 60V N 溝道增強型 MOSFET 晶體管

型號: DMT6012LFDF

--- 產品參數 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMT6012LFDF
  • 名稱 60V N 溝道增強型 MOSFET
  • 產地 臺灣
  • 封裝 U-DFN2020-6 (Type F)

--- 產品詳情 ---

DMT6012LFDF 

產品簡介
DIODES 的 DMT6012LFDF 這種新一代MOSFET的設計目的是將導通狀態降至最低電阻(RDS(ON))同時保持優異的開關性能,使其成為高效電源管理應用的理想選擇。

 

產品規格 
品牌                  DIODES
型號                  DMT6012LFDF
名稱                  60V N 溝道增強型 MOSFET
產地                  臺灣
封裝                  U-DFN2020-6 (Type F)

 

產品參數
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 60 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 9.5 A
PD @TA = +25°C (W) 1.9 W
PD @TC = +25°C (W) 11 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 14 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 21 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 7.3 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 13.6 nC
CISS Typ (pF) 785 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 30 V


主要特征
生產中的100%無阻尼感應開關(UIS)測試--
確保更加可靠和穩健的最終應用程序
0.6mm輪廓——適用于低輪廓應用
PCB占地面積4mm2
低導通電阻


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