產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMT6012LFV 該 MOSFET 旨在最大限度地降低導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))，同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能，使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號(hào) DMT6012LFV
名稱 60V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地 臺(tái)灣
封裝 PowerDI?3333-8
產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 60 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 43.3 A
PD @TA = +25°C (W) 1.95 W
PD @TC = +25°C (W) 33.78 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 12 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 15 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 10.7 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 22.2 nC
CISS Typ (pF) 1522 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 30 V
主要特征
生產(chǎn)中 100% 非鉗位電感開關(guān) (UIS) 測(cè)試 – 確保最終應(yīng)用更加可靠和穩(wěn)健
低 RDS(ON) – 確保最小化通態(tài)損耗
小外形熱效率封裝可實(shí)現(xiàn)更高密度的最終產(chǎn)品
僅占 SO-8 所占電路板面積的 33%，從而實(shí)現(xiàn)更小的最終產(chǎn)品
ESD保護(hù)柵極
相關(guān)型號(hào)
DMT6007LFG
DMT6007LFGQ
DMT6008LFG
DMT6009LCT
DMT6009LFG
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DMT6010LFG
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DMT64M8LCG
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DMT67M8LCG
DMT67M8LCGQ
DMT67M8LK3
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DMT68M8LFV
DMT68M8LPS
DMT68M8LSS
DMT69M5LCG
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DMT69M5LFVWQ
DMT69M5LH3
DMT69M8LFV
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DMT8007LPSW
DMT8008LFG
DMT8008LK3
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DMT8008LSS
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DMT8012LFG
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DMT8012LPS
DMT8012LSS
DMT8030LFDF
