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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務 國產替代選型

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DMTH10H005SCT 100V +175°C N 溝道增強型 MOSFET 晶體管

型號: DMTH10H005SCT

--- 產品參數 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMTH10H005SCT
  • 名稱 100V +175°C N 溝道增強型 MOSFET
  • 產地 臺灣
  • 封裝 TO220AB

--- 產品詳情 ---

DMTH10H005SCT 

產品簡介
DIODES 的 DMTH10H005SCT 這款新一代 MOSFET 具有低導通電阻和快速開關的特點,非常適合高效電源管理應用。

 

產品規(guī)格 
品牌                  DIODES
型號                  DMTH10H005SCT
名稱                  100V +175°C N 溝道增強型 MOSFET
產地                  臺灣
封裝                  TO220AB


產品參數
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 140 A
PD @TA = +25°C (W) 2.9 W
PD @TC = +25°C (W) 187 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 5 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 4 V
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 111.7 nC
CISS Typ (pF) 8474 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 50 V


主要特征
額定溫度為 +175°C – 高環(huán)境溫度環(huán)境的理想選擇
100% 非鉗位感應開關 – 確保更可靠、更穩(wěn)健的最終應用
高轉換效率
低 R DS(ON) – 最大限度地減少通態(tài)損耗
低輸入電容
電力應用的高 BVDSS 評級
低輸入/輸出泄漏


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