產品簡介
DIODES 的 DMTH69M8LFVWQ 該 MOSFET 旨在滿足汽車應用的嚴格要求。它符合 AEC-Q101 標準，并由 PPAP 支持。
產品規(guī)格
品牌 DIODES
型號 DMTH69M8LFVWQ
名稱 60V 175°C N 溝道增強型 MOSFET
產地 臺灣
封裝 PowerDI?3333-8
產品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 60 V
|VGS| (±V) 16 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 15.9 A
|IDS| @TC = +25°C (A) 45.4 A
PD @TA = +25°C (W) 3.6 W
PD @TC = +25°C (W) 29.4 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 9.5 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 13.3 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 15.6 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 33.5 nC
CISS Typ (pF) 1925 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 30 V
主要特征
額定溫度為 +175°C——高環(huán)境溫度環(huán)境的理想選擇
生產中 100% 非鉗位電感開關 (UIS) 測試 — 確保最終應用更加可靠和穩(wěn)健
低導通電阻
小外形熱效率封裝可實現(xiàn)更高密度的最終產品
用于改進光學檢測的可潤濕側面
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