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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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ZXMHC10A07T8 互補(bǔ) 100V 增強(qiáng)模式 MOSFET 晶體管

型號： ZXMHC10A07T8

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 ZXMHC10A07T8
  • 名稱 互補(bǔ) 100V 增強(qiáng)模式 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 SM-8 (8 LEAD SOT223)

--- 產(chǎn)品詳情 ---

ZXMHC10A07T8 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 ZXMHC10A07T8 新一代溝槽 MOSFET 采用獨(dú)特的結(jié)構(gòu)，結(jié)合了低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度的優(yōu)點(diǎn)。這使得它們非常適合高效率、低電壓、電源管理應(yīng)用。

 

產(chǎn)品規(guī)格  
品牌                    DIODES
型號                    ZXMHC10A07T8
名稱                    互補(bǔ) 100V 增強(qiáng)模式 MOSFET 
產(chǎn)地                    臺灣
封裝                     SM-8 (8 LEAD SOT223)


產(chǎn)品參數(shù)

AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity 2N2P
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 1.0, 0.8 A
PD @TA = +25°C (W) 1.3 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 700, 1000 mΩ
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 2.9, 3.5 nC
CISS Typ (pF) 138, 141 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 60, 50 V


主要特征
SOIC封裝中的2 x N+2 x P通道
低導(dǎo)通電阻
低輸入電容
快速切換速度


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