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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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ZXMS6006DT8 60V 雙 N 溝道自保護增強型 MOSFET 晶體管

型號： ZXMS6006DT8

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 ZXMS6006DT8
  • 名稱 60V 雙 N 溝道自保護增強型智能 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 SM-8

--- 產(chǎn)品詳情 ---

ZXMS6006DT8 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 ZXMS6006DT8 是一款具有邏輯電平輸入的雙自保護低側(cè) MOSFET。它針對每個通道獨立集成了過溫、過流、過壓（有源鉗位）和 ESD 保護邏輯電平功能。ZXMS6006DT8 非常適合在標準 MOSFET 不夠堅固的惡劣環(huán)境中作為由 3.3V 或 5V 微控制器驅(qū)動的通用開關(guān)。

 

產(chǎn)品規(guī)格  
品牌                    DIODES
型號                    ZXMS6006DT8
名稱                    60V 雙 N 溝道自保護增強型智能 MOSFET
產(chǎn)地                    臺灣
封裝                    SM-8


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive supports PPAP) Standard
Configuration Dual
Polarity N
TAB -
BVDSS (V) 60
ID VIN = 5V (A) 2.8
PD (W) 2.13
RDS(ON) Max @ VIN (3V) (mΩ) 125
RDS(ON) Max @VIN (5V) (mΩ) 100
VDSVIN = 5V (S/C) (%) 16
EAS (mJ) 210
TJ (°C) 150


主要特征
緊湊型高功耗封裝
低輸入電流
邏輯電平輸入（3.3V和5V）
具有自動重啟功能的短路保護
過電壓保護（有源箝位）
帶自動重啟功能的熱關(guān)機
過電流保護
輸入保護（ESD）
高連續(xù)電流額定值


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