--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 類型 N+P溝道
- 最大耐壓 ±30V
- 最大電流 9A/-6A
- 導通電阻 15mΩ/42mΩ @10V, 19mΩ/50@4.5V
- 門源電壓 20Vgs (±V)
- 門閾電壓 ±1.65Vth
- 封裝 封裝 SOP8
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
型號 MDS9754URH
絲印 VBA5325
品牌 VBsemi
詳細參數(shù)說明
類型 N+P溝道MOSFET
最大耐壓 ±30V
最大電流 9A/6A
導通電阻 15mΩ/42mΩ @10V, 19mΩ/50mΩ @4.5V
門源電壓 20Vgs (±V)
門閾電壓 ±1.65Vth
封裝 SOP8
應用簡介
MDS9754URH是一款N+P溝道MOSFET,適用于需要同時控制N溝道和P溝道MOSFET的應用。其最大耐壓為±30V,最大電流為9A/6A,具有低導通電阻和高性能。
該器件廣泛用于多個領域的模塊設計,包括但不限于
1. 電源管理模塊 可用于DCDC變換器和電池管理系統(tǒng)。
2. 驅(qū)動模塊 可用于驅(qū)動電機、電磁閥和電動工具等。
3. 逆變器模塊 可用于太陽能逆變器和電動車充電器等。
總之,MDS9754URH適用于需要同時控制N溝道和P溝道MOSFET的高功率應用,如電源管理、驅(qū)動模塊和逆變器模塊等。
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