型號 MTD6P10ET4絲印 VBE2102M品牌 VBsemi參數 頻道類型 P溝道 額定電壓 100V 額定電流 10A RDS(ON) 188mΩ @ 10V，195mΩ @ 4.5V 門源電壓范圍 ±20V 門源閾值電壓 1.77V 封裝類型 TO252應用簡介 MTD6P10ET4（絲印 VBE2102M）是VBsemi公司生產的一款P溝道功率MOSFET。以下是詳細的參數說明和應用簡介 詳細參數說明 MTD6P10ET4是一款高壓、高電流承載能力的P溝道功率MOSFET。主要參數包括額定電壓為100V，額定電流為10A，RDS(ON)為188mΩ @ 10V，195mΩ @ 4.5V，門源電壓范圍為±20V，門源閾值電壓為1.77V，封裝類型為TO252。應用領域 MTD6P10ET4（VBE2102M）適用于多種領域和應用場景，特別適用于需要P溝道功率MOSFET的高壓、高電流電路。以下是一些典型的應用領域 1. 電源管理模塊 MTD6P10ET4可用于電源管理模塊中，提供高效的電能轉換和穩定的電流輸出，改善系統的功耗和效率。2. 高電壓電池系統 它可應用于高電壓電池系統中的充放電控制電路，提供高功率和高效率的電能轉換和電池管理。3. 電動車充電樁 MTD6P10ET4適用于電動車充電樁中的開關電路，實現高效能的電能轉換和穩定的電流控制。4. 工控系統和通信設備 MTD6P10ET4適用于工控系統和通信設備中的電源管理和電流控制，提供可靠的功耗控制和電流輸出。綜上所述，MTD6P10ET4（VBE2102M）是一款P溝道功率MOSFET，適用于電源管理模塊、高電壓電池系統、電動車充電樁、工控系統和通信設備等領域模塊。它具有高壓、高電流承載能力，適用于需要高功率和高效能的電路。
--- 產品參數 ---
- 頻道類型 P溝道
- 額定電壓 100V
- 額定電流 10A
- RDS(ON) 188mΩ @ 10V，195mΩ4.5V
- 門源電壓范圍 ±20V
- 門源閾值電壓 1.77V
- 封裝類型 TO252
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
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