型號 NTD20P06LT4G絲印 VBE2610N品牌 VBsemi參數 頻道類型 P溝道 額定電壓 60V 額定電流 38A RDS(ON) 61mΩ @ 10V，72mΩ @ 4.5V 門源電壓范圍 ±20V 門源閾值電壓 1.3V 封裝類型 TO252應用簡介 NTD20P06LT4G（絲印 VBE2610N）是VBsemi公司生產的一款P溝道功率MOSFET。以下是詳細的參數說明和應用簡介 詳細參數說明 NTD20P06LT4G是一款具有高功率和低導通電阻的P溝道功率MOSFET。主要參數包括額定電壓為60V，額定電流為38A，RDS(ON)為61mΩ @ 10V，72mΩ @ 4.5V，門源電壓范圍為±20V，門源閾值電壓為1.3V，封裝類型為TO252。應用領域 NTD20P06LT4G（VBE2610N）適用于多種領域和應用場景，主要用于需要高功率和低導通電阻的P溝道MOSFET電路。以下是一些典型的應用領域 1. 電源管理模塊 NTD20P06LT4G可用于電源管理模塊中，提供高效的電能轉換和穩定的電流輸出，改善系統的功耗和效率。2. 電機驅動 它可應用于電機驅動電路中，提供高功率和高效能的電力輸出，適用于工業自動化和機械設備中的電機驅動。3. 汽車電子系統 NTD20P06LT4G適用于汽車電子系統中的電源管理、電機驅動和照明控制等方面，滿足汽車電子系統對高功率和高效能的要求。綜上所述，NTD20P06LT4G（VBE2610N）是一款P溝道功率MOSFET，適用于電源管理模塊、電機驅動和汽車電子系統等領域模塊。它具有高功率和低導通電阻的特點，適用于需要高功率和高效能的電路。
--- 產品參數 ---
- 頻道類型 P溝道
- 額定電壓 60V
- 額定電流 38A
- RDS(ON) 61mΩ @ 10V，72mΩ @ 4.5V
- 門源電壓范圍 ±20V
- 門源閾值電壓 1.3V
- 封裝類型 TO252
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
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