型號 NTD20N06LT4G-VB
絲印 VBE1638
品牌 VBsemi
參數
溝道類型 N溝道
額定電壓 60V
額定電流 45A
導通電阻 24mΩ @ 10V，28mΩ @ 4.5V
硅極電壓 20Vgs (±V)
門槽電壓 1.8Vth(V)
封裝類型 TO252
詳細參數說明
NTD20N06LT4G-VB是一款N溝道MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管），其絲印為VBE1638，由VBsemi公司生產。該器件具有以下主要參數
1. 高額定電壓（60V）和大額定電流（45A），適合處理高功率電路；
2. 導通電阻低，具有優秀的導通性能（24mΩ @ 10V，28mΩ @ 4.5V），可以降低功率損耗；
3. 20V的硅極電壓（20Vgs），以及1.8V的門槽電壓（1.8Vth(V)），提供靈活的驅動和控制能力；
4. 封裝為TO252，易于焊接和安裝。
應用簡介
NTD20N06LT4G-VB MOSFET通常用于以下領域模塊
電源模塊 由于其高額定電壓和大額定電流，可廣泛應用于電源模塊中，用于穩定和分配電流；
電機驅動 該器件的低導通電阻和高功率特性，使其成為電機驅動模塊的理想選擇，可以提供高效率和高輸出功率；
電子設備 由于其靈活的驅動和控制能力，NTD20N06LT4G-VB可以用于各種電子設備，如開關電源、逆變器、光伏發電系統等。
總之，NTD20N06LT4G-VB-VBE1638是一款具有高額定電壓和大額定電流的N溝道MOSFET器件，適用于各種需要高功率性能和靈活控制的模塊
