--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 類型 N溝道
- 額定電壓 100V
- 最大持續(xù)電流 40A
- 導通電阻 30mΩ @ 10V
- 門源電壓范圍 20V(正負)
- 閾值電壓 1.8V
- 封裝 TO252
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
型號 STD25N10F7-VB
絲印 VBE1104N
品牌 VBsemi
參數(shù)
類型 N溝道
額定電壓(Vds) 100V
最大持續(xù)電流(Id) 40A
導通電阻(RDS(ON)) 30mΩ @ 10V
門源電壓范圍(Vgs) 20V(正負)
閾值電壓(Vth) 1.8V
封裝 TO252
應用簡介
STD25N10F7-VB是一款N溝道場效應晶體管(MOSFET),具有高額定電壓和電流承受能力。它適用于需要高電壓和高電流開關的領域,如電源開關、電機控制和工業(yè)應用。
詳細參數(shù)說明
1. 類型 這是一款N溝道MOSFET,意味著它在輸入正電壓時導通。這種類型的MOSFET通常用于開關和調(diào)節(jié)電路中。
2. 額定電壓(Vds) 它可以承受的最大漏極-源極電壓為100V。這表示在正常工作條件下,其電壓可以達到100V。
3. 最大持續(xù)電流(Id) 這款MOSFET的最大電流承受能力為40A。這使它能夠處理高電流負載。
4. 導通電阻(RDS(ON)) RDS(ON)是導通狀態(tài)下的電阻,它影響MOSFET的功耗和效率。在10V的門源電壓下,它的RDS(ON)為30mΩ,表示在導通狀態(tài)下的功耗相對較低。
5. 門源電壓范圍(Vgs) MOSFET的門源電壓范圍為20V,這表示需要至多20V的電壓來控制它的導通狀態(tài)。
6. 閾值電壓(Vth) 這款MOSFET的閾值電壓為1.8V。這是啟動MOSFET導通的門源電壓。
7. 封裝 這款MOSFET采用TO252封裝,這是一種常見的功率封裝類型,適用于高功率電子應用。
應用領域
STD25N10F7-VB這款MOSFET適用于多種需要高電壓和高電流開關的電子模塊和設備,包括但不限于以下領域模塊
1. 電源開關 可用于高電壓開關電源,如電壓轉(zhuǎn)換和電源穩(wěn)定。
2. 電機控制 在電機控制器中用于控制電機的速度和方向,特別是用于工業(yè)電機。
3. 電力逆變器 用于逆變器電路,將直流電轉(zhuǎn)換為交流電,如太陽能逆變器和電力逆變器。
4. 高電壓電源管理 用于高電壓電源管理和電流控制電路,如工業(yè)控制系統(tǒng)。
5. 電動工具 在需要高功率和高效能的電動工具中,如電動鉆機和電鋸。
總之,這款N溝道MOSFET適用于需要高電壓和高電流開關的電子模塊和設備,提供電源控制和電流管理的功能,特別是在高功率和工業(yè)應用中。
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