--- 產品參數 ---
- 類型 P溝道
- 最大耐壓 -20V
- 最大電流 -4A
- 靜態開啟電阻 57mΩ @ 4.5V, 83mΩ @ 2.5V
- 門源極電壓 12V (±V)
- 閾值電壓 -0.81V
- 封裝類型 SOT23
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
型號 AP2307GN-VB
絲印 VB2290
品牌 VBsemi
參數
類型 P溝道
最大耐壓 -20V
最大電流 -4A
靜態開啟電阻 (RDS(ON)) 57mΩ @ 4.5V, 83mΩ @ 2.5V
門源極電壓 (Vgs) 12V (±V)
閾值電壓 (Vth) -0.81V
封裝類型 SOT23
應用簡介
AP2307GN-VB是一款P溝道MOSFET,適用于多種低功耗電子應用,以下是一些可能的應用領域
1. 電源管理 這款MOSFET可用于低壓降的電源開關,以改善電源管理的效率。它適用于便攜式設備、嵌入式系統和低功耗電源模塊。
2. DC-DC轉換器 AP2307GN-VB可以用于DC-DC轉換器中,將一個低電壓轉換成另一個電壓,適用于電池驅動的便攜式設備、無線通信模塊和傳感器節點。
3. 電池管理 在電池充電和放電控制電路中,這款MOSFET可以幫助實現高效的電池管理,確保電池的安全和性能。
4. 低功耗電子 由于其低導通電阻和低電壓特性,適用于需要低功耗操作的電子設備,如便攜式醫療設備、傳感器和控制電路。
5. 電源開關 AP2307GN-VB可用于各種低功耗電源開關應用,包括電子終端、便攜式音頻設備和控制系統。
AP2307GN-VB的特性使其適用于多種低功耗電子應用,特別是在需要P溝道MOSFET的情況下。然而,在選擇和使用該器件時,仍然需要詳細了解其數據手冊和性能參數,以確保其滿足特定應用的要求。
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