--- 產品參數 ---
- 類型 P溝道
- 額定電壓 -30V
- 額定電流 -7A
- 門源極電壓 20Vgs(±V)
- 閾值電壓 -1.37Vth(V)
- 封裝類型 SOP8
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
型號 FDS4435A-NL-VB
絲印 VBA2317
品牌 VBsemi
參數
P溝道
額定電壓 -30V
額定電流 -7A
導通電阻
RDS(ON) 23mΩ@10V
RDS(ON) 29mΩ@4.5V
RDS(ON) 66mΩ@2.5V
門源極電壓 20Vgs(±V)
閾值電壓 -1.37Vth(V)
封裝類型 SOP8
詳細參數說明
FDS4435A-NL-VB是一款P溝道功率MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),其電氣參數為額定電壓為-30V,額定電流為-7A。其導通電阻RDS(ON)在不同的電壓下有不同的取值,如在10V時為23mΩ,在4.5V時為29mΩ,在2.5V時為66mΩ。其最大允許的門源極電壓為20Vgs,閾值電壓為-1.37Vth(V)。該器件采用SOP8封裝。
應用簡介
FDS4435A-NL-VB常被廣泛應用于各種電路模塊中,如電源管理,電池充放電控制,開關電源等。
產品應用領域
FDS4435A-NL-VB適用于以下領域的模塊
1. 電源管理 可用于電源開關模塊、直流-直流(DC-DC)轉換器、逆變器等。
2. 電池充放電控制 可應用于鋰電池充電管理、電池保護、電池充電器等領域的模塊。
3. 開關電源 可用于開關電源的開關組件、逆變器等。
4. 其他領域 該器件還可應用于電機驅動、照明控制等領域的模塊。
總之,FDS4435A-NL-VB是一款P溝道MOSFET,具有低導通電阻和高性能特性,常被廣泛應用于電源管理、電池充放電控制、開關電源等領域的模塊。"
為你推薦
-
BSC030N03MS G-VB一款Single-N溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-08 15:49
產品型號:BSC030N03MS G-VB 封裝:DFN8(5X6) 溝道:Single-N -
BSC030N03LS G-VB一款Single-N溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-08 15:48
產品型號:BSC030N03LS G-VB 封裝:DFN8(5X6) 溝道:Single-N -
BSC029N025S G-VB一款Single-N溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-08 15:47
產品型號:BSC029N025S G-VB 封裝:DFN8(5X6) 溝道:Single-N -
BSC028N06LS3 G-VB一款Single-N溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-08 15:46
產品型號:BSC028N06LS3 G-VB 封裝:DFN8(5X6) 溝道:Single-N -
BSC025N03MS G-VB一款Single-N溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-08 15:45
產品型號:BSC025N03MS G-VB 封裝:DFN8(5X6) 溝道:Single-N -
BSC025N03LS G-VB一款Single-N溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-08 15:44
產品型號:BSC025N03LS G-VB 封裝:DFN8(5X6) 溝道:Single-N -
BSC024N025S G-VB一款Single-N溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-08 15:42
產品型號:BSC024N025S G-VB 封裝:DFN8(5X6) 溝道:Single-N -
BSC022N03S G-VB一款Single-N溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-08 15:40
產品型號:BSC022N03S G-VB 封裝:DFN8(5X6) 溝道:Single-N -
BSC020N03MS G-VB一款Single-N溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-08 15:38
產品型號:BSC020N03MS G-VB 封裝:DFN8(5X6) 溝道:Single-N -
BSC020N025S G-VB一款Single-N溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-08 15:36
產品型號:BSC020N025S G-VB 封裝:DFN8(5X6) 溝道:Single-N