F658-E030MK 高壓-大功率GaN HEMT

GaN HEMT 晶體管

型號： F658-E030MK

--- 產品參數 ---

廠家 Sumitomo Electric Device Innov
型號 F658-E030MK
名稱 GaN HEMT 氮化鎵高電子遷移率晶體管
產地日本
封裝 DFN

--- 產品詳情 ---

型號簡介
Sumitomo的SEDI的GaN HEMT提供高效率、易于匹配、高功率L波段放大器的一致性和寬頻帶50V操作，并為您提供更高的增益。該設備的目標應用是低電流和寬帶高電壓應用。

型號規格
廠家 Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A.
型號 F658-E030MK
名稱 GaN HEMT 氮化鎵高電子遷移率晶體管
產地日本
封裝 DFN

型號參數
高壓操作：VDS=50V
高功率：46.5dBm（典型值）@Psat
高效率：55%（典型值）@Psat
線性增益：16.0dB（典型值）@f=2.7GHz
經驗證的可靠性

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