--- 產品參數 ---
- 廠家 Sumitomo Electric Device Innov
- 型號 F658-H130M1H
- 名稱 GaN HEMT 氮化鎵高電子遷移率晶體管
- 產地 日本
- 封裝 DFN
--- 產品詳情 ---
型號簡介
Sumitomo的GaN HEMT F658-H130M1H提供高功率、高效率、易于匹配直流至3GHz高功率的更大一致性50V操作的應用程序。
型號規(guī)格
廠家 Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A.
型號 F658-H130M1H
名稱 GaN HEMT 氮化鎵高電子遷移率晶體管
產地 日本
封裝 DFN
型號參數
用于直流至3GHz的高功率GaN HEMT
高功率:150W@3GHz
高效率:57%@3GHz
CW可操作
易于匹配:輸入預匹配3GHz
小型無法蘭封裝
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上傳時間:2024-11-15 16:02
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