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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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FLM7185-6F C波段 內(nèi)部匹配 FET

型號： FLM7185-6F

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 廠家 Sumitomo Electric Device Innov
  • 型號 FLM7185-6F
  • 名稱 High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管
  • 產(chǎn)地 日本
  • 封裝 lB

--- 產(chǎn)品詳情 ---

FLM7185-6F

型號簡介
Sumitomo的FLM7185-6F是一種功率GaAs FET，內(nèi)部匹配標(biāo)準(zhǔn)通信頻帶，以在50歐姆系統(tǒng)。SEDI嚴格的質(zhì)量保證計劃確保可靠性和一致的性能。


型號規(guī)格  
廠家                    Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A. 
型號                    FLM7185-6F
名稱                    High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管
產(chǎn)地                    日本
封裝                    lB
 

型號參數(shù)
高輸出功率：P1dB B38.0dBm（類型）
高增益：G1dB B8.0dB（類型）
高PAE：hadd p30%（類型）
低IM3=-45dbc@po=270億
寬帶：7.1至8.5GHz
阻抗匹配鋅/鹽，50歐姆
密封包裝


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