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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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FSU01LGT 通用 GaAs FET

型號： FSU01LGT

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 廠家 Sumitomo Electric Device Innov
  • 型號 FSU01LGT
  • 名稱 Small Signal GaAs FET小信號砷化鎵 FE
  • 產(chǎn)地 日本
  • 封裝 LG*

--- 產(chǎn)品詳情 ---

FSU01LGT

型號簡介
Sumitomo的FSU01LG是一種高性能、低噪聲的GaAs FET，設(shè)計用于PCS/PCN應(yīng)用程序作為2GHz頻帶的驅(qū)動器。Eudyna嚴(yán)格的質(zhì)量保證計劃確保最高可靠性和一致的性能。


型號規(guī)格  
廠家                    Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A. 
型號                    FSU01LGT
名稱                    Small Signal GaAs FET小信號砷化鎵 FET
產(chǎn)地                    日本
封裝                    LG*


型號參數(shù)
高輸出功率：P1dB=20.0dBm（典型值）
高相關(guān)增益：G1dB=19.0dB（典型值）
低噪聲系數(shù)：NF=0.55dB（典型值）@f=2GHz
低偏置條件：VDS=3V，10mA
經(jīng)濟高效的密封微帶封裝
提供磁帶和卷軸


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