--- 產品參數 ---
- 溝道 P溝道
- 封裝 TO252封裝
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
型號: NCE60P25K-VB
絲印: VBE2658
品牌:VBsemi
參數說明:
- 溝道類型:P溝道
- 額定電壓:-60V
- 額定電流:-22A
- 導通電阻:48mΩ@10V, 57mΩ@4.5V
- 閾值電壓:-1.5Vth(V)
- 封裝類型:TO252
應用簡介:
NCE60P25K-VB是一款具有P溝道結構的功率MOSFET。它具有負向-60V的額定電壓和-22A的額定電流,適用于需要控制P溝道MOSFET進行功率開關的應用場景。該器件的導通電阻在10V電壓下為48mΩ,在4.5V電壓下為57mΩ,能夠提供低電阻和高效能的特性。閾值電壓為-1.5Vth(V),能夠實現精確控制。
NCE60P25K-VB常用于以下領域模塊:
1. 電源管理模塊:該器件可用于電源開關、電源逆變器、DC-DC轉換器等電源管理模塊中,提供高效能、低電阻的開關控制。
2. 馬達驅動模塊:該器件可用于馬達驅動電路,控制馬達的啟動和停止,實現高效能的驅動控制。
3. 照明模塊:該器件可用于LED照明驅動電路,調節LED的亮度,提供高效能的照明控制。
4. 電源逆變器模塊:該器件可用于電源逆變器電路,實現電能的轉換和變換,提供高效能的逆變控制。
總之,NCE60P25K-VB是一款適用于各種功率開關應用的P溝道MOSFET,具有低電阻、高效能和精確控制等特點,廣泛應用于電源管理、馬達驅動、照明和電源逆變器等領域模塊中。
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