型號(hào)： NTD25P03LG-VB  
絲印： VBE2338 
品牌： VBsemi 
參數(shù)： 
- P溝道
- -30V電壓
- -26A電流
- RDS(ON)：33mΩ@10V, 46mΩ@4.5V
- 20Vgs(±V)閾值電壓
- -1.3Vth(V)閾值電壓
- TO252封裝

該型號(hào)的詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明：
- 類型: N溝道P-MOSFET
- 最大漏源電壓（VDS）：-30V
- 最大漏源電流（ID）：-26A
- 導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）：33mΩ（在10V下），46mΩ（在4.5V下）
- 門源閾值電壓（Vgs(th)）：-1.3V
- 最大門源電壓（Vgs）：±20V
- 封裝類型：TO252

該產(chǎn)品適用于以下領(lǐng)域模塊：
- 電源管理系統(tǒng)
- 自動(dòng)控制系統(tǒng)
- 電動(dòng)汽車系統(tǒng)
- 工業(yè)自動(dòng)化控制系統(tǒng)
- LED照明系統(tǒng)等

這些溝道P-MOSFET可以用于電源開(kāi)關(guān)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電源逆變器、充放電電路等應(yīng)用。它們?cè)谛枰咝芎偷碗娮璧膱?chǎng)合提供了可靠的功率開(kāi)關(guān)功能。通過(guò)改變門源電壓控制電阻，它們可以實(shí)現(xiàn)高效的電源管理和電路控