型號：PHD78NQ03LT-VB
絲印：VBE1307
品牌：VBsemi
參數：
- 溝道類型：N溝道
- 最大耐壓：30V
- 最大持續電流：60A
- 開通電阻（RDS(ON)）：10mΩ @ 10Vgs、11mΩ @ 4.5Vgs
- 閾值電壓（Vth）：1.6V
- 封裝類型：TO252
應用簡介：
PHD78NQ03LT-VB是一款高性能的N溝道MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管），具有高電流承受能力和低開通電阻，適用于多種高功率電子應用。以下是它的一些主要應用領域：
1. 電源模塊：這款MOSFET的低開通電阻和高電流承受能力使其非常適合用于電源模塊，如開關穩壓器和直流-直流變換器，以提供高效率和穩定的電源輸出。
2. 電機驅動：PHD78NQ03LT-VB可以用于電機驅動電路，如電機控制、電動汽車電機驅動和工業自動化中的電機控制，以實現高效的電機運行。
3. 電池保護模塊：由于其高電流承受能力，它也可以用于電池保護模塊，確保電池在充電和放電時的安全性和性能。
4. 電源開關：這款MOSFET可以用于電源開關，用于控制電路的通斷狀態，例如高功率電子設備中的電源開關。
總之，PHD78NQ03LT-VB是一款高性能的N溝道MOSFET，適用于各種高功率電子應用，特別是需要高電流承受能力和低電阻的領域。它在電源模塊、電機驅動、電池保護模塊和電源開關等模塊中都有廣泛的用途。
