型號：NTD3055L170T4G-VB
絲印：VBE1695
品牌：VBsemi
參數：
- 類型：N溝道
- 最大耐壓：60V
- 最大電流：18A
- 靜態開啟電阻 (RDS(ON))：73mΩ @ 10V, 85mΩ @ 4.5V
- 門源極電壓 (Vgs)：20V (±V)
- 閾值電壓 (Vth)：2V
- 封裝類型：TO252
應用簡介：
NTD3055L170T4G-VB是一款N溝道MOSFET，適用于多種電子應用，以下是一些可能的應用領域：
1. 電源模塊：這款MOSFET可用于電源模塊中的功率開關，幫助提高電源管理的效率，適用于便攜式設備、嵌入式系統和電源逆變器。
2. DC-DC轉換器：NTD3055L170T4G-VB可以用于DC-DC轉換器中，將一個電壓轉換成另一個電壓，適用于電池驅動的設備、電子終端和通信設備。
3. 電池管理：它還可以用于電池管理系統中，控制電池的充電和放電，確保電池的安全和性能。
4. 電機驅動：NTD3055L170T4G-VB可用于電機驅動電路，如電機控制器和電動工具，以實現高效的電機運行。
5. 汽車電子：由于其高電流承受能力和低導通電阻，這種MOSFET也適用于汽車電子系統，如車輛電源管理和驅動控制。
NTD3055L170T4G-VB的特性使其適用于多種中等功率電子應用，尤其是在需要高電流承受能力和低導通電阻的情況下。然而，在選擇和使用該器件時，仍然需要詳細了解其數據手冊和性能參數，以確保其滿足特定應用的要求。
