描述
SST26VF064B串行四通道I/O (SQI)閃存器件利用4位多路復用I/O串行接口來提高性能，同時保持標準串行閃存器件的緊湊外形。SST26VF064B還支持與傳統(tǒng)串行外設(shè)接口(SPI)協(xié)議完全兼容的命令集。SST26VF064B的工作頻率可達104 MHz，支持最小延遲就地執(zhí)行(XIP)功能，無需在SRAM上進行代碼屏蔽。該器件的高性能和可靠性使其成為網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、DSL和電纜調(diào)制解調(diào)器、無線局域網(wǎng)、計算、數(shù)字電視、智能電表、服務(wù)器、機頂盒、汽車和其它工業(yè)應(yīng)用的理想選擇。SST專有的高性能CMOS SuperFlash技術(shù)可帶來更多優(yōu)勢，顯著提高性能和可靠性，并降低高帶寬、緊湊型設(shè)計的功耗。 SST26VF064B上電時的默認設(shè)置是WP#和HOLD引腳使能，SIO2和SIO3引腳禁用，允許SPI協(xié)議操作，無需寄存器配置。 SST26VF064BA上電時默認禁用WP#和HOLD引腳，使能SIO2和SIO3引腳，無需寄存器配置即可實現(xiàn)四路I/O操作。
特性
串行接口架構(gòu)——半字節(jié)寬多路復用I/O，具有類似SPI的串行命令結(jié)構(gòu):模式0和模式3 x1/x2/x4串行外設(shè)接口(SPI)協(xié)議和SQI協(xié)議 突發(fā)模式——連續(xù)線性突發(fā)，8/16/32/64字節(jié)線性突發(fā)，帶回繞 頁面編程-在x1或x4模式下每頁256字節(jié) 靈活的擦除能力——統(tǒng)一的4k字節(jié)扇區(qū)、四個8k字節(jié)頂部和底部參數(shù)覆蓋塊、一個32k字節(jié)頂部和底部覆蓋塊、統(tǒng)一的64k字節(jié)覆蓋塊 軟件寫保護-單個塊鎖定:64千字節(jié)塊、兩個32千字節(jié)塊和八個8千字節(jié)參數(shù)塊 低功耗:有效讀取電流:15 mA(典型值@ 104 MHz)，待機電流:15 A(典型值) 串行閃存可發(fā)現(xiàn)參數(shù)(SFDP) 溫度選項: 工業(yè)級-40°C至+85°C，擴展級-40°C至+105°C 可用封裝:8引腳WDFN(6毫米x 5毫米)、8引腳SOIC (208毫米)、16引腳SOIC (300毫米)、24引腳TBGA(6毫米x 8毫米) 所有器件都符合RoHS標準 提供汽車2級和3級
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