型號：FQPF85N06-VB
絲印：VBMB1615
品牌：VBsemi
參數說明：
- 極性：N溝道
- 額定電壓：60V
- 最大連續漏極電流：70A
- 靜態漏極-源極電阻（RDS(ON)）：10mΩ @ 10V，12mΩ @ 4.5V
- 門極-源極電壓（Vgs）：20V（±V）
- 開啟電壓（門極閾值電壓）：1.5V
- 封裝：TO220F

應用簡介：
FQPF85N06-VB是一款N溝道場效應晶體管（MOSFET）器件，具有高電壓承受能力和低漏極-源極電阻，適用于多種高性能電子應用領域。

應用領域：
1. **電源模塊**：FQPF85N06-VB適用于高性能的開關電源、電源管理模塊和電池保護電路，有助于提高電能轉換效率。

2. **電機驅動**：這種MOSFET器件的高電流承受能力和低電阻使其非常適合用于電機驅動器、電機控制和電機保護，可用于各種電機應用。

3. **電池管理**：在電動汽車、電動工具和便攜式設備中，FQPF85N06-VB可用于電池管理系統，確保電池的安全充放電和保護。

4. **高功率LED驅動**：FQPF85N06-VB適用于高功率LED照明應用，提供高效的LED驅動。

5. **電源開關**：這種MOSFET可用于高電壓和高電流的開關電路，如電源開關和電源逆變器。

總之，FQPF85N06-VB是一款多功能的電子器件，適用于需要高電壓、高電流承受能力、低電阻和可靠性的各種電子應用領域。它可以用于電源管理、電機控制、電池保護、高功率LED驅動、電源開關等模塊。