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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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FLL200IB-3 L波段 中高功率 GaAs FET

型號： FLL200IB-3

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 廠家 Sumitomo Electric Eudyna
  • 型號 FLL200IB-3
  • 名稱 砷化鎵場效應(yīng)管
  • 產(chǎn)地 日本
  • 封裝 SMT

--- 產(chǎn)品詳情 ---

FLL200IB-3

型號簡介
Sumitomo的FLL200IB-1、FLL200IB-2、FLL200 IB-3是功率GaAs FET，專門設(shè)計用于在L波段頻率下提供高功率，其增益、線性和效率優(yōu)于硅器件。AB類操作在多音環(huán)境中的性能使其非常適合基站應(yīng)用。住友電機(jī)嚴(yán)格的質(zhì)量保證計劃確保了最高的可靠性和一致的性能。


型號規(guī)格  
廠家                    Sumitomo Electric  Eudyna
型號                    FLL200IB-3
名稱                    砷化鎵場效應(yīng)管
產(chǎn)地                    日本
封裝                    SMT


型號參數(shù)
高輸出功率：P1dB=42.5dBm（典型）
高增益：G1dB=13.0dB（典型值）@1.8GHz（FLL200IB-1）
高PAE：ηadd=34%（典型值）
經(jīng)驗證的可靠性
密封包裝


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