型號：FDC658AP-VB
絲印：VB8338
品牌：VBsemi

參數(shù)說明：
- P溝道
- 額定電壓：-30V
- 最大電流：-4.8A
- RDS(ON)：49mΩ @ 10V, 54mΩ @ 4.5V
- 門源電壓（Vgs）范圍：±20V
- 閾值電壓（Vth）范圍：-1~-3V
- 封裝：SOT23-6

應(yīng)用簡介：
FDC658AP-VB是一款P溝道MOSFET，適用于負向電壓應(yīng)用。它具有低通態(tài)電阻和適中的電流承受能力，適合多種負向電壓電子設(shè)備。

應(yīng)用領(lǐng)域：
1. **電源逆變器**：FDC658AP-VB可用于電源逆變器模塊，將負向電壓轉(zhuǎn)換為正向電壓，適用于太陽能逆變器和電力系統(tǒng)。

2. **電源管理**：在需要負向電壓管理的應(yīng)用中，它可以用于電源開關(guān)和電池保護，例如在實驗室設(shè)備中。

3. **電池充電**：可用于負向電壓電池充電電路，控制電池充電和放電。

4. **電源開關(guān)**：在負向電壓電源開關(guān)模塊中使用，提供高效率的電源管理。

總之，F(xiàn)DC658AP-VB適用于負向電壓應(yīng)用，包括電源逆變器、電源管理、電池充電和電源開關(guān)等領(lǐng)域。