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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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SQ3427EEV-T1-GE3-VB一款P溝道SOT23-6封裝MOSFET應(yīng)用分析

型號(hào): SQ3427EEV-T1-GE3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 溝道 P溝道
  • 封裝 SOT23-6封裝

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號(hào):SQ3427EEV-T1-GE3-VB
絲印:VB8658
品牌:VBsemi
參數(shù):
- P溝道
- 最大耐壓:-60V
- 最大電流:-6.5A
- 靜態(tài)導(dǎo)通電阻:50mΩ @ 10V, 60mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 閾值電壓范圍:-1V 到 -3V
- 封裝:SOT23-6

**詳細(xì)參數(shù)說明:**
SQ3427EEV-T1-GE3-VB是一款P溝道MOSFET,最大耐壓為-60V,最大電流為-6.5A。其靜態(tài)導(dǎo)通電阻在不同電壓下表現(xiàn)如下:在10V下為50mΩ,在4.5V下為60mΩ,驅(qū)動(dòng)電壓范圍為±20V。閾值電壓范圍為-1V 到 -3V,使其適合各種驅(qū)動(dòng)電壓要求。該器件采用SOT23-6封裝,適合在有限空間內(nèi)使用。

**應(yīng)用簡(jiǎn)介:**
SQ3427EEV-T1-GE3-VB適用于多種領(lǐng)域的模塊,包括但不限于:
1. **電源管理模塊**:由于其適中的耐壓和低導(dǎo)通電阻,它可用于電源開關(guān)、電流控制和電源管理模塊,幫助提高電能轉(zhuǎn)換效率。

2. **電池充放電保護(hù)**:在電池管理系統(tǒng)中,它可以用于電池充放電保護(hù)和電流控制,確保電池的安全性和性能。

3. **開關(guān)電源**:適用于小型開關(guān)電源,如手機(jī)充電器、便攜式設(shè)備充電器等。

4. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:可用于小型電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)模塊,如風(fēng)扇、電動(dòng)工具等。

總之,SQ3427EEV-T1-GE3-VB適用于需要低電壓驅(qū)動(dòng)和適中電流能力的P溝道MOSFET的多種領(lǐng)域,包括電源管理、電池管理、開關(guān)電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。其性能參數(shù)使其成為許多電子模塊的理想選擇。

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