型號(hào): SPP6507S26RGB-VB
絲印: VB4290
品牌: VBsemi
參數(shù): 2個(gè)P溝道, -20V, -4A, RDS(ON) 75mΩ @ 4.5V, 100mΩ @ 2.5V, 12Vgs (±V); -1.2~-2.2Vth (V)
封裝: SOT23-6

詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明和應(yīng)用簡(jiǎn)介：
1. 溝道類型：2個(gè)P溝道
  - 這表示這是一對(duì)P溝道MOSFET，P溝道MOSFET通常用于電源開關(guān)和功率管理應(yīng)用，其中需要控制正電壓電源。

2. 額定電壓 (VDS)：-20V
  - 這是溝道MOSFET能夠承受的最大負(fù)電壓，表示它適用于需要處理負(fù)電壓的電路。

3. 額定電流 (ID)：-4A
  - 這是溝道MOSFET的額定電流，表示它可以處理的最大負(fù)電流負(fù)載。

4. 靜態(tài)漏極-源極電阻 (RDS(ON))：
  - RDS(ON)是溝道MOSFET的導(dǎo)通狀態(tài)下的電阻。在4.5V的情況下，它的電阻為75mΩ，而在2.5V的情況下為100mΩ。這表明在導(dǎo)通狀態(tài)下，它的電阻相對(duì)低，能夠有效地減小功耗和熱量。

5. 柵源電壓額定值 (Vgs)：12V (±V)
  - 這表示柵源電壓的額定范圍為正負(fù)12V。柵源電壓用來(lái)控制MOSFET的導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài)。

6. 閾值電壓范圍 (Vth)：-1.2V 至 -2.2V
  - 這是溝道MOSFET的閾值電壓范圍，表示需要應(yīng)用在柵極上的電壓，以使器件開始導(dǎo)通。在這種情況下，閾值電壓范圍為-1.2V至-2.2V。

應(yīng)用簡(jiǎn)介：
這種型號(hào)的P溝道MOSFET通常用于各種電源管理和開關(guān)應(yīng)用，包括但不限于以下領(lǐng)域和模塊：

1. 電源開關(guān)：這種MOSFET可用于電源開關(guān)模塊，例如DC-DC轉(zhuǎn)換器，以實(shí)現(xiàn)高效的電能轉(zhuǎn)換。
2. 電池管理：它可用于電池保護(hù)電路，以控制電池充放電和防止過(guò)放電。
3. 電源逆變器：在太陽(yáng)能逆變器和UPS（不間斷電源）中，P溝道MOSFET可用于控制電能的流向。
4. 電源選擇和開關(guān)：它可以用于電源選擇器和電源開關(guān)，以在不同電源之間切換。

總之，這種型號(hào)的P溝道MOSFET適用于多種領(lǐng)域的電子設(shè)備和模塊，以滿足功率開關(guān)和電源管理的需求，特別是需要處理負(fù)電壓的應(yīng)用。