型號(hào): 2SK1590-VB
絲印: VB162K
品牌: VBsemi
參數(shù): N溝道, 60V, 0.3A, RDS(ON) 2800mΩ @ 10V, 3000mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V); 1.6Vth (V)
封裝: SOT23

詳細(xì)參數(shù)說明和應(yīng)用簡(jiǎn)介：
1. 溝道類型：N溝道
  - 這表示這是一種N溝道MOSFET，通常用于電子設(shè)備中，特別是需要控制正電壓電源的應(yīng)用。

2. 額定電壓 (VDS)：60V
  - 這是溝道MOSFET能夠承受的最大電壓，表示它適用于需要處理高達(dá)60V的電壓的電路。

3. 額定電流 (ID)：0.3A
  - 這是溝道MOSFET的額定電流，表示它可以處理的最大電流負(fù)載，盡管相對(duì)較低。

4. 靜態(tài)漏極-源極電阻 (RDS(ON))：
  - RDS(ON)是溝道MOSFET的導(dǎo)通狀態(tài)下的電阻。在10V的情況下，它的電阻為2800mΩ，而在4.5V的情況下為3000mΩ。這表明在導(dǎo)通狀態(tài)下，它的電阻相對(duì)較高，但可以用于低功率應(yīng)用。

5. 柵源電壓額定值 (Vgs)：20V (±V)
  - 這表示柵源電壓的額定范圍為正負(fù)20V。柵源電壓用來控制MOSFET的導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài)。

6. 閾值電壓 (Vth)：1.6V
  - 這是溝道MOSFET的閾值電壓，表示需要應(yīng)用在柵極上的電壓，以使器件開始導(dǎo)通。

應(yīng)用簡(jiǎn)介：
由于這種型號(hào)的MOSFET的額定電流相對(duì)較低且漏極-源極電阻較高，因此它通常用于低功率電子設(shè)備和模塊，例如：

1. 信號(hào)開關(guān)：這種MOSFET可以用于控制信號(hào)線路的開關(guān)，以實(shí)現(xiàn)信號(hào)切換和放大。
2. 小功率放大器：在一些小型音頻放大器和放大電路中，它可以用于信號(hào)放大。
3. 低功耗電源管理：適用于需要控制低功率設(shè)備的電源管理和開關(guān)。
4. 邏輯電平轉(zhuǎn)換：用于邏輯電平的轉(zhuǎn)換和邏輯門的實(shí)現(xiàn)。

總之，這種型號(hào)的N溝道MOSFET主要適用于低功率和信號(hào)處理領(lǐng)域，特別是需要處理正電壓電源的低功率應(yīng)用。