型號：ISL9N308AD3ST-VB
絲印：VBE1307
品牌：VBsemi
參數：
- 溝道類型：N溝道
- 額定電壓：30V
- 最大持續電流：60A
- 靜態導通電阻 (RDS(ON))：10mΩ @ 10V, 11mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 閾值電壓 (Vth)：1.6V
- 封裝：TO252

詳細參數說明：
ISL9N308AD3ST-VB 是一款 N 溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）器件，具有 30V 的額定電壓和最大持續電流為 60A。它的 RDS(ON) 在不同電壓下表現出色良好，分別為 10mΩ @ 10V 和 11mΩ @ 4.5V。此外，它的閾值電壓（Vth）為 1.6V。

應用簡介：
ISL9N308AD3ST-VB 是一種高性能的 N 溝道 MOSFET，適用于多種電路應用，特別適用于高電流和高電壓應用。它通常用于電源開關、電機控制、電源轉換器、電源逆變器、電池保護電路和其他需要高性能 MOSFET 的領域的模塊。TO252 封裝使其適用于各種應用，如工業控制、電源放大器、電動工具、電動汽車和其他高功率應用。這種型號的 MOSFET 具有低導通電阻和高電流承受能力，可提供卓越的性能和高效率，是需要高功率開關的應用的理想選擇。