型號(hào)：TN0200T-T1-E3-VB
絲印：VB1240
品牌：VBsemi
參數(shù)：
- 溝道類型：N溝道
- 額定電壓：20V
- 最大連續(xù)電流：6A
- 靜態(tài)導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）：24mΩ @ 4.5V, 33mΩ @ 2.5V, 8Vgs (±V)
- 閾值電壓（Vth）：0.45~1V
- 封裝類型：SOT23

應(yīng)用簡(jiǎn)介：
TN0200T-T1-E3-VB是一款N溝道MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管），適用于低電壓和低功率應(yīng)用，以及需要高效的電能控制的電路。以下是一些可能的應(yīng)用領(lǐng)域：

1. 便攜式電子設(shè)備：這款N溝道MOSFET適用于便攜式電子設(shè)備，如智能手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦等，以提供高效的電能控制，延長(zhǎng)電池壽命。

2. 電源管理：它可用于電源開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓器和電源供應(yīng)，以提供高效的電能控制和穩(wěn)定的電壓輸出。

3. 電機(jī)控制：適用于小型電機(jī)控制，如電動(dòng)工具、風(fēng)扇、電子玩具等。

4. 消費(fèi)電子產(chǎn)品：可用于各種消費(fèi)電子產(chǎn)品，如智能家居設(shè)備、音頻設(shè)備、游戲控制器等。

5. 照明控制：在LED照明控制中，這種MOSFET可以用于提供高效的電源開(kāi)關(guān)和亮度控制。

總之，TN0200T-T1-E3-VB MOSFET適用于低電壓、低功率應(yīng)用領(lǐng)域，以幫助提高能效、延長(zhǎng)電池壽命和穩(wěn)定電源輸出。這種組件在各種電子模塊和電路中廣泛應(yīng)用，以滿足不同低功率電子設(shè)備的需求。