型號：vsd090n10ms-VB
絲印：VBE1101M
品牌：VBsemi
參數(shù)：
- 溝道類型：N溝道
- 額定電壓：100V
- 最大持續(xù)電流：18A
- 靜態(tài)導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))：115mΩ @ 10V, 121mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 閾值電壓 (Vth)：1.6V
- 封裝：TO252

詳細(xì)參數(shù)說明：
vsd090n10ms-VB 是一款 N 溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）器件，具有 100V 的額定電壓和最大持續(xù)電流為 18A。它的 RDS(ON) 在不同電壓下表現(xiàn)出色良好，分別為 115mΩ @ 10V 和 121mΩ @ 4.5V。此外，它的閾值電壓（Vth）為 1.6V。

應(yīng)用簡介：
vsd090n10ms-VB 通常用于電源管理、電源開關(guān)、電源轉(zhuǎn)換器、電源逆變器和其他需要高性能 MOSFET 的領(lǐng)域的模塊。由于其高額定電壓和適度的電流承受能力，它適合用于需要高電壓和較高電流的應(yīng)用，如電源開關(guān)、電源逆變器、電源轉(zhuǎn)換器、電機(jī)控制、電池保護(hù)電路等。TO252 封裝使其易于集成到各種電子設(shè)備和電路中。這種型號的 MOSFET 具有低導(dǎo)通電阻和高電壓承受能力，可提供卓越的性能和高效率，適用于需要高功率開關(guān)的應(yīng)用。