服務范圍
MOSFET、IGBT、DIODE、BJT，第三代半導體器件等分立器件，以及上述元件構成的功率模塊
檢測標準
l GJB548B-2005微電子器件試驗?法和程序
l QJ3065.5-98元器件失效分析管理要求
檢測項目
| 試驗類型 | 試驗項? |
| ?損分析 | X 射線透視、聲學掃描顯微鏡、?相顯微鏡 |
| 電特性/電性定位分析 | 電參數測試、IV&CV 曲線量測、ESD、Photon Emission、OBIRCH、ATE 測試與三溫(常溫/低溫/高溫) 驗證 |
| 破壞性分析 | 開封、去層、切片、芯片級切片、推拉力測試 |
| 微觀顯微分析 | DB FIB切片截?分析、FESEM 檢查、EDS微區元素分析、掃描電鏡、透射電鏡 |
相關資質
CNAS
服務背景
國內功率器件廠商迎來了空前的發展機會。在成長中廠商迫切希望減少或消除產品失效，并在設計、?藝和產品研發、量產、可靠性測試、封裝等階段進?改進，以迅速占領市場。
我們的優勢
廣電計量擁有業界領先的專家團隊及先進的失效分析設備，專注功率器件失效根因分析，可為客戶提供完整的失效根因分析服務，針對產品的研發設計、來料檢驗、加?組裝、測試篩選、客戶端使用等各個環節，為客戶提供失效分析咨詢、協助客戶開展設計規劃、以及分析測試服務。
