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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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K33S10N1Z-VB一款TO252封裝N溝道的MOS管應用領域講解

型號: K33S10N1Z-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 封裝 TO252封裝
  • 溝道 N溝道

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

**產品型號:** K33S10N1Z-VB  
**絲印:** VBE1101N  
**品牌:** VBsemi  
**參數:**
- 封裝: TO252
- 類型: N—Channel溝道
- 額定電壓: 100V
- 額定電流: 70A
- 開態電阻 (RDS(ON)): 9mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓 (Vth): 3.2V  

**封裝:** TO252  

**詳細參數說明和應用簡介:**
該器件是一款TO252封裝的N—Channel溝道場效應晶體管,適用于多種應用場景。主要參數包括正電壓額定值、高電流額定值、低開態電阻,使其在不同電源和負載條件下具有良好的性能。

**應用領域:**
1. **電源開關模塊:** 由于其正電壓和高電流額定值,可用于電源開關模塊中的開關電源和電壓調節。
2. **電機驅動模塊:** 適用于工業電機和電動車輛的電機驅動模塊,提供可靠的高電流驅動。
3. **電源逆變模塊:** 在需要進行電源逆變的場景中,可用于電源逆變模塊,實現對電源的逆變。

**作用:**
- **電源開關模塊:** 用于開關電源和電壓調節,實現電源的高效能轉換。
- **電機驅動模塊:** 提供可靠的電流驅動,控制工業電機和電動車輛的運行。
- **電源逆變模塊:** 作為電源逆變的一部分,實現對電源的逆變。

**使用注意事項:**
1. 請按照數據手冊提供的最大額定值操作,以確保器件的可靠性和穩定性。
2. 在設計中考慮散熱需求,特別是在高電流和高功率應用中。
3. 確保在閾值電壓范圍內使用,以確保正常工作。
4. 避免超過額定電壓和電流,以免損壞器件。

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