**詳細參數說明：**
- 型號：SIS412DN-T1-GE3-VB
- 絲印：VBQF1320
- 品牌：VBsemi
- 封裝：DFN8(3X3)
- 類型：2個N-Channel溝道
- 額定電壓：30V
- 額定電流：18A
- 導通電阻：20mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓：1.5V
**應用簡介：**
這是一款集成了兩個N-Channel溝道的功率場效應晶體管（Power MOSFET），適用于DFN8(3X3)封裝。其特點包括30V的額定電壓，18A的額定電流，低導通電阻等，使其適用于小型高功率電子應用。
**應用領域：**
該器件常用于電源開關、功率放大、電機驅動等小型電子模塊。在這些模塊中，它可以用于小型電源的功率調節、小型電機的驅動和控制，以及小型信號的放大。
**作用：**
- 在小型電源開關模塊中，可用于小功率電源的功率調節和控制。
- 在小型功率放大模塊中，可用于小功率信號的放大。
- 在小型電機驅動模塊中，可用于小功率電機的驅動和控制。
**使用注意事項：**
- 嚴格按照數據手冊提供的最大額定值操作，以防止器件損壞。
- 注意器件的靜電敏感性，采取適當的防護措施。
- 在設計中考慮散熱和溫度管理，確保器件在正常工作溫度范圍內。
- 遵循適當的焊接和安裝標準，以確保可靠的電氣連接和機械強度。
