Qorvo QPD1016L GaN射頻晶體管
Qorvo QPD1016L GaN射頻晶體管是一款500W (P3dB) 預匹配分立式碳化硅基氮化鎵高電子遷移率晶體管 (GaN on SiC HEMT)，工作頻率范圍為直流至1.7GHz。QPD1016L在1.3GHz時提供18dB線性增益，在3dB壓縮時具有67%漏極效率。該器件可支持脈沖和線性操作。
QPD1016L GaN射頻晶體管采用行業標準氣腔NI-780封裝，非常適合用于IFF、航空電子和民用雷達以及測試儀器儀表。QPD1016L封裝包括一個耳狀法蘭，用于螺栓旋緊安裝。

QPD1016L GaN射頻晶體管 特性
頻率范圍：直流至1.7GHz
輸出功率 (P3dB)：537W（1.3GHz時）
線性增益：18dB（1.3GHz時）
功率附加效率 (PAE)：67%（3dB時）
飽和輸出功率 (PSAT)：57.3dBm
漏極電壓 (VD)：+50V
漏極偏置電流 (IDQ)：1000mA
支持CW和PWM運行 
工作溫度范圍：-40°C至+85°C
Eared NI-780氣腔封裝
無鹵、無鉛、符合RoHS指令
QPD1016L GaN射頻晶體管 應用