Qorvo QPD0005M RF JFET晶體管
Qorvo QPD0005M RF JFET晶體管是單路徑分立式GaN on SiC HEMT，采用塑料包覆成型DFN封裝。該系列晶體管的工作頻率范圍為2.5GHz至5.0GHz。該系列器件是單級(jí)、不匹配晶體管，能夠在+48V電壓下提供5.9W PSAT。
QPD0005M RF JFET晶體管 特性
工作頻率范圍：2.5-5.0GHz
工作漏極電壓：+48V
3.6GHz時(shí)的最大輸出功率 (PSAT)：37.7dBm
3.6GHz時(shí)的最大漏極效率：74.1%
3.6GHz時(shí)的效率-調(diào)諧P3dB增益：18.6dB
4.5mm x 4.0mm DFN封裝
QPD0005M RF JFET晶體管 應(yīng)用
WCDMA/LTE
宏蜂窩基站
微蜂窩基站
小型蜂窩
有源天線
5G大規(guī)模MIMO
通用型應(yīng)用
--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 工作溫度 85
--- 產(chǎn)品詳情 ---
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