BSS84LT1G-VB 是VBsemi品牌的P—Channel溝道場效應晶體管，具有以下詳細參數(shù)：

- 封裝：SOT23
- 最大承受電壓：-60V
- 最大漏極電流：-0.5A
- 靜態(tài)漏極-源極電阻：RDS(ON) = 3000mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓：Vth = -1.87V

**應用簡介:**
適用于低功耗、小尺寸電子設備，特別是需要P—Channel溝道場效應晶體管的應用場景。

**示例應用領域及模塊:**
1. **電源管理模塊：** 用于低電壓、低功耗的電源開關控制。
2. **信號開關：** 在信號切換和路由控制中發(fā)揮作用，保證信號質量。
3. **電池管理：** 用于電池保護和電流控制，延長電池壽命。
4. **LED驅動：** 控制LED的開關，調整亮度。

這些特性使得 BSS84LT1G-VB 適用于各種小型便攜設備和低功耗應用，如智能手機、可穿戴設備、便攜式醫(yī)療設備等。