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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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ME2345A-VB一款SOT23封裝P—Channel場效應MOS管

型號: ME2345A-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 封裝 SOT23封裝
  • 溝道 P—Channel

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

**ME2345A-VB**

- **絲印:** VB2355
- **品牌:** VBsemi
- **參數:**
 - 封裝:SOT23
 - 溝道類型:P—Channel
 - 最大溝道電壓(VDS):-30V
 - 最大漏極電流(ID):-5.6A
 - 靜態漏極-源極電阻(RDS(ON)):47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
 - 閾值電壓(Vth):-1V

**詳細參數說明:**
ME2345A-VB 是一款P—Channel MOSFET,封裝為SOT23,具有最大-30V的溝道電壓和-5.6A的最大漏極電流。其靜態漏極-源極電阻為47mΩ,閾值電壓為-1V。

**應用簡介:**
ME2345A-VB適用于低功耗功率電子應用,特別是在需要P—Channel MOSFET的場合。

**領域模塊應用:**
1. **電源管理模塊:** 在電源管理模塊中,ME2345A-VB可用于功率開關,幫助管理電源的供應和控制功率。
2. **信號開關模塊:** 用于實現信號的開關控制,適用于需要P—Channel MOSFET的低功耗電子設備。
3. **電流控制模塊:** 在需要P—Channel MOSFET進行電流控制的模塊中使用,例如電池充放電控制。

**作用:**
- 用于低功耗電子設備的功率開關。
- 實現信號的開關控制。
- 在電流控制模塊中進行電流控制。

**使用注意事項:**
1. 遵循數據手冊中的最大額定值,以確保在規定條件下使用。
2. 注意閾值電壓的負值,確保在正確的電壓條件下工作。
3. 了解并滿足封裝的特定要求,以確保正確的引腳連接。
4. 考慮散熱,確保器件工作在安全的溫度范圍內。

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