型號：2319GN-VB
絲印：VB2355
品牌：VBsemi
**參數說明：**
- 封裝類型：SOT23
- 溝道類型：P—Channel
- 額定溝道電壓（VDS）：-30V
- 額定溝道電流（ID）：-5.6A
- 靜態漏極-源極電阻（RDS(ON)）：47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓（Vth）：-1V
**封裝：**
SOT23
**應用簡介：**
2319GN-VB是一款P—Channel溝道的場效應晶體管（FET），適用于SOT23封裝。其主要特性包括較低的漏極-源極電阻和適用于負載開關等應用。
**領域和模塊應用：**
1. **電源管理模塊：** 由于其P—Channel溝道類型和適中的電流能力，2319GN-VB可以用于電源管理模塊中的負載開關，以實現有效的電源控制。
2. **電流控制模塊：** 適用于需要P—Channel MOSFET的電流控制模塊，例如電流源和電流鏡等電路。
3. **通用放大器模塊：** 在需要P—Channel MOSFET的通用放大器電路中，該器件也可能發揮作用。
請注意，具體的應用需求和設計要求可能需要詳細的電路設計和參數匹配。在使用前，請仔細查閱型號的數據手冊和應用指南。
