--- 產品參數 ---
- 封裝 SOP8封裝
- 溝道 2個P—Channel
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
VBsemi品牌的NTMD4184PFR2G-VB是一款SOP8封裝的P溝道場效應晶體管。該器件具有2個P溝道,工作電壓為-30V,最大漏極電流為-7A,導通電阻(RDS(ON))在10V和20V的情況下分別為35mΩ。閾值電壓(Vth)為-1.5V。
這款器件適用于多種領域和模塊,具體包括:
1. 電源管理模塊:NTMD4184PFR2G-VB適用于電源管理模塊中的負電壓開關,例如用于智能手機、平板電腦等便攜式設備的電池管理模塊。
2. 電動汽車充電器:由于具有較高的漏極電流和低導通電阻,可用于電動汽車充電器模塊中的電源開關,以實現高效率和快速充電。
3. LED照明模塊:適用于LED照明模塊中的電源開關和調光控制器,實現LED照明產品的節能、高效和可調光特性。
4. 工業自動化:可用于工業控制系統中的電源開關、驅動器和逆變器模塊,提高工業設備的控制精度和能量利用率。
綜上所述,NTMD4184PFR2G-VB是一款性能卓越的P溝道場效應晶體管,適用于電源管理、LED照明、電動汽車充電器以及工業自動化等領域的模塊設計中,能夠提高系統的效率和性能。
為你推薦
-
BSZ340N08NS3 G-VB一款Single-N溝道DFN8(3X3)的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-10 16:00
產品型號:BSZ340N08NS3 G-VB 封裝:DFN8(3X3) 溝道:Single-N -
BSZ240N12NS3 G-VB一款Single-N溝道DFN8(3X3)的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-10 15:59
產品型號:BSZ240N12NS3 G-VB 封裝:DFN8(3X3) 溝道:Single-N -
BSZ22DN20NS3 G-VB一款Single-N溝道DFN8(3X3)的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-10 15:58
產品型號:BSZ22DN20NS3 G-VB 封裝:DFN8(3X3) 溝道:Single-N -
BSZ180P03NS3E G-VB一款Single-P溝道DFN8(3X3)的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-10 15:55
產品型號:BSZ180P03NS3E G-VB 封裝:DFN8(3X3) 溝道:Single-P -
BSZ180P03NS3 G-VB一款Single-P溝道DFN8(3X3)的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-10 15:44
產品型號:BSZ180P03NS3 G-VB 封裝:DFN8(3X3) 溝道:Single-P -
BSZ16DN25NS3 G-VB一款Single-N溝道DFN8(3X3)的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-10 15:42
產品型號:BSZ16DN25NS3 G-VB 封裝:DFN8(3X3) 溝道:Single-N -
BSZ165N04NS G-VB一款Single-N溝道DFN8(3X3)的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-10 15:41
產品型號:BSZ165N04NS G-VB 封裝:DFN8(3X3) 溝道:Single-N -
BSZ160N10NS3 G-VB一款Single-N溝道DFN8(3X3)的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-10 15:40
產品型號:BSZ160N10NS3 G-VB 封裝:DFN8(3X3) 溝道:Single-N -
BSZ130N03MS G-VB一款Single-N溝道DFN8(3X3)的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-10 15:38
產品型號:BSZ130N03MS G-VB 封裝:DFN8(3X3) 溝道:Single-N -
BSZ130N03LS G-VB一款Single-N溝道DFN8(3X3)的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-10 15:37
產品型號:BSZ130N03LS G-VB 封裝:DFN8(3X3) 溝道:Single-N