品牌：VBsemi
型號：NTMSD2P102LR2G-VB
封裝：SOP8
絲印：VBA4338
詳細參數說明：
- 通道類型：2個P溝道MOSFET
- 額定工作電壓：-30V
- 最大連續漏極電流：-7A
- 漏極-源極導通電阻：35mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓：-1.5V
應用簡介：
NTMSD2P102LR2G-VB是一款高性能的雙P溝道MOSFET，適用于各種功率電路的開關控制和功率調節。具有低漏極-源極導通電阻、高額定工作電壓和大連續漏極電流的特點，適用于要求高效能和高可靠性的電源管理和功率放大應用。
舉例說明：
1. 電源管理模塊：適用于各種開關電源、DC-DC變換器和逆變器等電源管理模塊中，用于控制和調節電流，提高電源效率。
2. 通信設備：可用于手機充電控制、無線路由器和網絡交換機等通信設備中，提高設備的穩定性和可靠性。
3. 汽車電子模塊：適用于汽車電子模塊中的驅動控制、車載充電樁和電池管理系統等應用，提高系統的穩定性和安全性。
