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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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NTR1P02T3G-VB一款P—Channel溝道SOT23的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

型號: NTR1P02T3G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 封裝 SOT23封裝
  • 溝道 P—Channel

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

VBsemi NTR1P02T3G-VB 產品詳細參數及應用簡介:

**參數說明:**
- 絲印:VB2290
- 品牌:VBsemi
- 封裝:SOT23
- 溝道類型:P—Channel
- 最大工作電壓:-20V
- 最大漏極電流:-4A
- 靜態漏極-源極電阻:RDS(ON) = 57mΩ @ VGS=4.5V, VGS=12V
- 門-源閾值電壓:Vth = -0.81V

**應用簡介:**
NTR1P02T3G-VB是一款P—Channel溝道的SOT23封裝場效應晶體管,具有低漏電流、低導通電阻等特性,適用于多種電源控制和開關應用。

**典型應用領域及模塊示例:**
1. **電源管理模塊:** 由于其低漏電流和低導通電阻的特性,NTR1P02T3G-VB可廣泛應用于電源管理模塊,如開關電源、穩壓器等。

2. **電池充放電模塊:** 在需要對電池進行精準控制的應用中,該器件可用于構建電池充放電模塊,如便攜式電子設備、電動工具等。

3. **電流檢測模塊:** 作為電源控制元件,NTR1P02T3G-VB可應用于電流檢測模塊,用于監測和調節電路中的電流。

總體而言,NTR1P02T3G-VB在電源管理、電池充放電和電流檢測等領域中具有廣泛的應用,為這些模塊提供可靠的電源控制和開關功能。

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