VBsemi P-溝道MOSFET P1203EVG-VB 具有-30V的電壓額定值，-11A的電流承受能力，以及在VGS=10V和VGS=20V時的低RDS(ON)為10mΩ。該器件采用SOP8封裝，印有標識符VBA2311。
**主要規格：**
- 電壓額定值：-30V
- 電流承受能力：-11A
- RDS(ON)：在VGS=10V和VGS=20V時為10mΩ
- 閾值電壓（Vth）：-1.42V
**封裝：**
- SOP8
**應用領域：**
1. **電源逆變器：** 由于其P-溝道特性，適用于電源逆變器中，能夠有效管理負載。
2. **電源開關模塊：** 在電源開關模塊中可以實現可靠的電源開關控制。
3. **電池保護電路：** 用于設計電池保護電路，確保電池在安全范圍內運行。
4. **汽車電子系統：** 由于其負載驅動能力，可應用于汽車電子系統中的電源管理和控制。
**注意：** 為了獲得最佳性能，請確保兼容性并遵循數據手冊中的推薦工作條件。
